Cas 409-21-2 הויך ריינקייַט סיליציום קאַרבידע פּודער נאַנאָ סיק נאַנאָפּאַודער און נאַנאָפּאַרטיקלעס

סילאָן קאַרבידע (סיק), אויך באקאנט ווי קאַרבאָרנונד פון סיליציום און טשאַד מיט כעמיש פאָרמולע סיק. עס אַקערז אין נאַטור ווי די גאָר זעלטן מינעראַל מאָיסאַניטע. סינטעטיש סיליציום קאַרבידע פּודער איז געווען מאַסע-געשאפן זינט 1893 פֿאַר נוצן ווי אַ אַברייסיוו. גריינז פון סיליציום קאַרבידע קענען זיין באַנדאַד צוזאַמען דורך סינטערינג צו פאָרעם זייער שווער סעראַמיקס וואָס זענען וויידלי געניצט אין אַפּלאַקיישאַנז, און מאַשין איז געפֿירט הויך ענדעראַנס, אַזאַ ווי מאַשין קלאַטשיז און סעראַמיק פּלאַטעס אין בולאַטפּרוף וועסץ. Electronic applications of silicon carbide such as light-emitting diodes (LEDs) and detectors in early radios were first demonstrated around 1907. SiC is used in semiconductor electronics devices that operate at high temperatures or high voltages, or both. גרויס איין קריסטאַלז פון סיליציום קאַרבידע קענען זיין דערוואַקסן דורך די לעלי אופֿן; זיי קענען זיין שנייַדן אין געמס באַוווסט ווי סינטעטיש מאָיססאַניטע. סיליציום קאַרבייד מיט הויך ייבערפלאַך געגנט קענען זיין געשאפן פֿון סיאָ 2 קאַנטיינד אין פאַבריק מאַטעריאַל.